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机译:并五苯晶体管中碘掺杂可实现宽范围阈值电压调制
Natl Changhua Univ Educ, Dept Elect Engn, Changhua, Taiwan;
Natl Changhua Univ Educ, Grad Inst Photon, Changhua, Taiwan;
Threshold voltage; Pentacene transistor; Iodine doping;
机译:6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯/聚合物共混晶体管的分子掺杂和调谐阈值电压
机译:6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯/聚合物共混晶体管的分子掺杂和调谐阈值电压
机译:在带有有机受体的电荷转移界面上使用载流子掺杂来控制并五苯薄膜晶体管的阈值电压
机译:调制掺杂场效应晶体管阈值电压的准二维解析模型
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:用于有机场效应晶体管中阈值电压控制的调制掺杂
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压