Epitaxie d'hétéro-structures d'oxydes supraconducteurs

摘要

Une nouvelle tendance se dessine dans le domaine de la science des matériaux depuis une dizaine d''années : l''ingénierie des films minces d''oxydes. Cet article présente les principales techniques de croissance qui sont utilisées pour l''élaboration des oxydes supraconducteurs, ainsi que les différentes techniques d''analyse in-situ qui peuvent être mises en œuvre pour contrôler la stœchiométrie de l''interface de croissance en temps réel. Il expose ensuite deux des préoccupations majeures de la croissance hétéro-épitaxiale des films minces : la relation film-substrat et la relaxation des contraintes épitaxiales.%The crystal engineering of oxide is the one of the merging trends in the field of material research for the last ten years. The main techniques of oxide thin film deposition are presented and discussed together with various methods of in-situ analysis, which allow the real time control of the growing interface. In the case of high temperature superconductor, the choice of the substrate is one of the limiting steps to obtain high quality hetero-structures. The properties of the various substrates and oxide buffer layers used in the growth of YBa_2Cu_3O_7 based structures are presented and the consequences on the epitaxial stress and the strain relaxation are discussed.