L'analyse par SIMS dans les couches minces des semiconducteurs

J. C. Dupuy

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L'analyse par SIMS dans les couches minces des semiconducteurs

机译：半导体薄层中的SIMS分析

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La microelectronique utilise largement les possibilites offertes par les microsondes ioniques: 1'analyse de dopants ou d'impuretes presentes en failbe concentration dans une matrice homogene se prete particulierement bien a une analyse quantitative avec une grande dynamique de signal, une excellente limite de detection, et une bonne resolution en profondeur.

机译：微电子学广泛地利用了离子微探针提供的可能性：分析均质基质中低浓度的掺杂剂或杂质非常适合于定量分析，该分析具有大的信号动力学，出色的检测限，并具有良好的深度分辨率。

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来源
《Le Vide》 |1999年第292期|p.160-191|共32页
作者
J. C. Dupuy;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类真空技术;
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