Comparison of SiO_2 and SiN_x:H thin film properties deposited by high density plasma

摘要

L'objectif de ce papier est l'etud des proprietes des films de SiO2 et SiNx:H deposes par plasma de haute densite (PHD). Ces deux dielectriques sont realises sans chauffer inten- tionellement le substrat, en utilisant les melanges gazeux SiH4+O2 et SiH4+N2. Le but essentiel de ce travail est de comparer les proprietes physiques et electriques de SiO2 et SiN:H.