High deposition rate SiN in ICP reactor for III-V based tochnology

摘要

Des films de nitrure de silicim ont ete realises, a basse temperature, par une technique de depot assiste par plasma a couplage inductif (ICPECVD). Nous presentons dans cet article une etude comparative de proprietes physico-chimiques et electriques des films obtenus a partir d'un melange silane -azote et silane-ammonicac.