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机译:氧气职位空缺对SnO_2表面的作用,降低了环境湿度与CO之间的交叉敏感性:第一个原则调查
KN Toosi Univ Technol Lab Semicond Devices Fac Elect Engn Tehran 163171419 Iran|KN Toosi Univ Technol Ctr Computat Micro & Nano Elect Fac Elect Engn Tehran 163171419 Iran;
KN Toosi Univ Technol Lab Semicond Devices Fac Elect Engn Tehran 163171419 Iran;
KN Toosi Univ Technol Ctr Computat Micro & Nano Elect Fac Elect Engn Tehran 163171419 Iran;
Reducing humidity cross-sensitivity; Tin dioxide; Oxygen vacancy; H2O adsorption; CO sensing mechanism; First principles calculations;
机译:C- ZrO_2(111),T-ZrO_2(101)和M-ZrO_2(111)表面的氢吸附及其用于氢感和储存的氧空位缺陷:一项原则调查
机译:ZnO纳米线表面上中性氧空位的空间分布:共聚焦显微镜和第一性原理计算相结合的研究
机译:CO在SrTiO3(100)表面吸附和反应的第一原理研究:表面氧空位的作用
机译:氧气空位相互作用的第一原理研究及其对镧锶铁氧体氧气空位形成和迁移的影响
机译:通过结合热力学和第一性原理计算了解SOFC组件中的氧空位形成,相互作用,输运和应变
机译:表面氧空位:在环境条件下研究的金属氧化物半导体中光诱导的表面氧空位的动力学(Adv。Sci。22/2019)
机译:氧空位和羟基表面的光致发光 功能化的snO_2纳米颗粒