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机译:铌和单氮化钼表面电子性质的第一性原理研究
Freescale Semicond, Adv Prod Res & Dev Lab, BR-30315340 Belo Horizonte, MG, Brazil;
metal work function; metal composites; adsorbates; DFT; WORK FUNCTION; THIN-FILMS; NBN; INTERFACE; NITRIDES; METALS; ENERGY; GATE; MON; PSEUDOPOTENTIALS;
机译:通过第一性原理计算,晶格空位对铌和硼化钼的结构,电子和内聚性能的影响
机译:密度泛函研究铌-倍半硅氧烷和铌-2,2'-硫代双酚骨架作为氧代表面模型的结构和电子性质
机译:二硅化钼的相稳定性,电子结构和机械性能:第一性原理研究
机译:研究五氧化铌纳米结构对其电子表面性质的原位掺杂作用
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:掺Cs的CH3NH3PbI3的电子和机械性能的第一性原理研究
机译:表面功能化调制的二硫化钼的电子和光学性质研究