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机译:卤素化学吸附,I的成对扩散和Si(100)上的缺陷捕获
Univ Illinois, Dept Phys, Dept Mat Sci & Engn, Urbana, IL 61801 USA;
thermal diffusion; scanning tunneling microscopy; Si(100); halogens; defects; SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY; METAL-SURFACES; ADSORPTION; CHLORINE; DISPLACEMENT; HYDROGEN; SI(001); DIMERS; ATOMS; X-1;
机译:捕集介导的乙硅烷在Si(100)-2 * 1上的化学吸附
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机译:BCC批量Cr和Cr(100)表面中氢同位素的化学吸取,扩散和渗透性:第一原理DFT模拟
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机译:通过电子自旋共振显示的功能性HFO2层的正电荷诱捕与正电荷俘获相关的缺陷:氧气空位的证据?
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