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机译:在Si上Bi介导的Ge生长过程中直接测量表面应力
Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Tokai, Ibaraki 319-1195,Japan;
Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Tokai, Ibaraki 319-1195,Japan;
Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Tokai, Ibaraki 319-1195,Japan;
Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Tokai, Ibaraki 319-1195,Japan;
Department of Physics, Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia;
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
stresses; surface structure; molecular beam epitaxy; surfactant-mediated epitaxy;
机译:通过表面应力测量直接观察Ru_(θ= 0.37)/ Pt {111}表面上CO氧化过程中的双功能电催化
机译:平均雷诺应力和纹波粗糙度的直接测量通过表面波强制强制迫使
机译:在SiC上直接MOCVD生长GaN期间的原位应力测量
机译:通过热波调制的光学反射率图像直接测量应力引起的空隙生长
机译:使用间接测量=水电涡轮机启动时的机械串的优化优化水电涡轮机的启动优化
机译:直接测量应变相关的固体表面应力
机译:使用电沉积铜箔的双轴应力测量:使用晶粒生长方向判断双轴应力比的迹象