ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Со~+ В Si

摘要

Thin ferromagnetic films of cobalt silicide were synthesized by Co~+ implantation into monocrystalline silicon in an external magnetic field. The results of scanning magnetopolarimetry showed the appearance of uniaxial magnetic anisotropy in samples synthesized with implantation dose more 2.4 × 10~(17)cm~(-2). Based on the dependence of anisotropy field on the dose, it is concluded that the induced magnetic anisotropy in the synthesized films is due to directional atomic pair ordering. It was found that mechanical stresses created during implantation do not affect the magnetic properties of the obtained cobalt silicide films.%При имплантации ионов Со~+ в пластины монокристаллического кремния во внешнем магнитном поле были синтезированы тонкие ферромагнитные пленки силицида кобальта. Исследования методом сканирующей магнитополяриметрии показали, что образцы, имплантированные с дозой больше, чем 2 × 10~(17) см~(-2), обладают одноосной магнитной анизотропией. На основе дозовой зависимости поля анизотропии и эксперимента по переключению направления осей легкого намагничивания сделан вывод о том, что наведенная магнитная анизотропия в полученных пленках обусловлена направленным упорядочением пар атомов. Показано отсутствие влияния внешних механических напряжений, создаваемых при имплантации, на магнитные свойства пленок силицида кобальта.