ЭВОЛЮЦИЯ ПРОФИЛЯ Si НАНОСТРУКТУР ПРИ РАСПЫЛЕНИИ В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ ВЧИ РАЗРЯДА

摘要

Представлены результаты экспериментального исследования и моделирования эволюции профиля Si гребенчатых наноструктур при низкоэнергетическом распылении (Е_i ～ 100 эВ) в плазме Аr высокочастотного индукционного разряда. Моделирование проводили в зависимости от величины коэффициентов прилипания Si-Si с учетом угловой зависимости выхода распыленных атомов Si. Результаты численного моделирования находились в хорошем согласии с экспериментом при коэффициенте прилипания атомов Si равном 0.9-1 и функции углового выхода распыленных атомов Si близкой к распределению cos~(0.1)(x)- Из данных моделирования тестовых структур была определена зависимость коэффициента выхода атомов Si от угла падения ионов Аг~+. Максимум этой функции находился при угле равном -65° относительно нормали поверхности. Экспериментально была определена зависимость коэффициента распыления Si ионами Аr~+ от энергии ионов на плоской поверхности в диапазоне 50-200 эВ.