ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ НАКОПЛЕНИЯ ДЕЙТЕРИЯ И ГЕЛИЯ В W И Та-ПОКРЫТИЯХ В ПРОЦЕССЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ D~+ ИЛИ Не~+

摘要

Методом термодесорбционной спектрометрии исследованы процессы накопления и термического выделения дейтерия и гелия для вольфрамового и танталового покрытий трехслойных композитов, включающих в себя подложку из нержавеющей стали и промежуточный слой титана, в зависимости от температуры образцов в процессе облучения 20 кэВ-ионами D_2~+ или Не_+. Температура образцов (в интервале значений 290-870 К) влияет на характер спектров термической десорбции этих газов. С увеличением температуры значения концентрации и коэффициента захвата дейтерия и гелия в покрытиях обоих типов уменьшаются. Предположены механизмы накопления и термической десорбции дейтерия и гелия, а также образования дефектов кристаллической решетки. Дейтерий и гелий захватывается радиационными дефектами вакансионного типа, образуя газ-вакансионные комплексы. С увеличением температуры образцов в процессе облучения ионами D_2 или Не~+ термодесорбция имплантированных газов, связанная с диссоциацией газ-вакансионных комплексов, миграцией частиц газов по междоузлиям к поверхности, рекомбинацией в молекулу D2 для дейтерия и выходом в вакуум, усиливается.