РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ СПЕКТРОВ ОТРАЖЕНИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ СУРЬМЫ

摘要

Измерением спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные методом центрифугирования на поверхность пластин кремния р-типа (ρ = 10 Ом • см) с ориентацией (111). Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением молекулярной рефракции и плотности фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки при увеличении дозы имплантации наблюдается рост коэффициента отражения.