ИДЕНТИФИКАЦИЯ ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ В НИТРИДЕ ГАЛЛИЯ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫМ МЕТОДОМ В СЛУЧАЯХ ЭКСИТОННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ И ПРИМЕСНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

摘要

Some possibilities of a quantitative cathodoluminescence direct-gap materials model, based on the dependence of the cathodoluminescence intensity on the electron beam energy at the constant level of electron-hole pairs generation, were shown. According to the results of the single-crystal я-Ga. Nexperimental studies with this model, the evaluations of the diffusion length and the lifetime of minority charge carriers for a spectral region, corresponding to impurity recombination, and the evaluations of the diffusion length and the lifetime of boundexcitons were obtained.%Показан ряд возможностей модели количественной катодолюминесценции прямозонных материалов, базирующейся на использовании зависимости интенсивности монохроматической катодолюминесценции от энергии электронов пучка при постоянном уровне генерации электронно-дырочных пар. По результатам экспериментальных исследований монокристаллического n-GaN с помощью данной модели получены оценки величины диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда для участка спектра, соответствующего примесной рекомбинации, а также оценки величины диффузионной длины и времени жизни связанных экситонов.