ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНЕДРЕННЫХ АТОМОВ НА КОЭФФИЦИЕНТЫ РАСПЫЛЕНИЯ КРЕМНИЯ И КРЕМНИЯ С ТОНКОЙ ОКСИДНОЙ ПЛЕНКОЙ

摘要

In the given work results theoretical and experimental researches of influence of introduction of atoms Ba and presence an oxide films on factor of dispersion of a surface of silicon are presented at ionic bombardment. It is shown, that in the range of dose D = 10~(14)-5 ×- 10~(15) cm~(-2) the factor of dispersion Si linearly grows, this growth is slowed down and since 10~(16) cm~(-2) practically does not vary. In the range of D = 5 × 10~(15)-5 × 10~(16) cm~(-2) the factor of dispersion Ba sharply increases, that speaks increase in concentration Ba in surface a layer in the course of ion bombardment.%Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований влияния внедрения атомов Ва и наличия оксидной пленки на коэффициент распыления поверхности кремния при ионной бомбардировке. Показано, что в интервале дозы D = 10~(14)-5 × 10~(15) см~(-2) коэффициент распыления Si линейно растет, затем этот рост замедляется и, начиная с 10~(16) см~(-2), практически не меняется. В интервале D = 5 × 10~(15)-5 × 10~(16) см~(-2) коэффициент распыления Ва резко увеличивается, что объясняется увеличением концентрации Ва в приповерхностном слое в процессе ионной бомбардировки.