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摘要

Elpida Memory, the Tokyo-based joint venture of NEC and Hitachi, plans to construct a 300mm DRAM plant at NEC Hiroshima Ltd., in Hiroshima. Construction of the new fab was set to begin in January, with volume production of 256Mb DRAM devices using 0.13μm technologies slated to begin in the first half of 2002. Maximum capacity of the new fab is expected to reach 20,000 300mm wafers/month, the equivalent of 48,000, 200mm wafers/month. The new plant will have total floor space of 22,000 m~2, with cleanroom floor space of 17,700 m~2.
机译:NEC和日立在东京的合资企业Elpida Memory计划在广岛的NEC广岛有限公司建造300mm DRAM工厂。新工厂的建设定于一月份开始,使用0.13μm技术的256Mb DRAM器件的批量生产计划于2002年上半年开始。新工厂的最大产能预计将达到20,000个300mm晶圆/月。相当于每月48,000个200mm晶圆。新工厂的总建筑面积为22,000 m〜2,无尘室建筑面积为17,700 m〜2。

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  • 来源
    《Solid state technology》 |2001年第febs期|p.S7-S8S10S12S14S17S35|共7页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
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