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Plasma etch rates: The impact of mask transmittance

机译:等离子体蚀刻速率:掩模透射率的影响

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摘要

The relationship between plasma etch rates and the area to be etched is described as a "loading effect." This can be theoretically explained and is typically taken into account for both fixed-time and endpoint-etch processes. In particular, transmittance-related mask features determine the size of the exposed areas, thus directly contributing to the loading effect both globally (macroloading) and locally (microloading). This article discusses the impact of mask characteristics on plasma-etching performance when endpoint detection is used. Also discussed is how mask suppliers can perform transmittance characterization by properly extracting information from standard layout data.
机译:等离子体蚀刻速率与要蚀刻的面积之间的关系被描述为“负载效应”。这可以从理论上进行解释,通常在固定时间和端点蚀刻过程中都会考虑到。尤其是,与透射率相关的蒙版特征确定了暴露区域的大小,从而直接对全局(宏加载)和局部(微加载)加载效果做出了贡献。本文讨论了使用端点检测时,掩模特性对等离子刻蚀性能的影响。还讨论了掩模供应商如何通过从标准布局数据中正确提取信息来执行透射率表征。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2001年第8期|p.55-565861|共4页
  • 作者

    Massimiliano Pindo;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:37:07

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