Tokyo Electron America, Austin, Texas;
机译:通过使用解耦的等离子体源,降低具有足够垂直剖面的载荷效应,以进行深沟槽硅刻蚀
机译:等离子体蚀刻过程的动力学研究。 I.在CnFm / H2和CnFm / O2等离子体中蚀刻Si和SiO2的模型
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻中的多步 - 偏压蚀刻来减少血浆诱导的N型GaN损伤
机译:使用两个端点技术在去耦等离子体源腔室中进行多晶硅平坦化和塞子凹槽蚀刻
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:NF3和F3No等离子体的氧化硅蚀刻方法具有残余气体分析仪
机译:在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构