【24h】

Ultralow-k CMP

机译:超低k CMP

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Introduction of porous ultralow-k (ULK) materials poses challenges, such as poor mechanical properties due to porosity, that affect all unit processes, including CMP. Minimizing and eliminating low-k damage are the primary concerns. CMP-induced ULK damage on blanket, single-level, and multilevel metal stacks was studied using surface, spec-troscopic, and electrical characterization techniques.
机译:引入多孔超低k(ULK)材料带来了挑战,例如由于孔隙率导致的机械性能差,会影响包括CMP在内的所有单元工艺。最小化和消除低k损伤是主要考虑因素。使用表面,光谱和电学表征技术研究了CMP引起的毯式,单层和多层金属堆的ULK损伤。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号