机译:用于源/漏工程的低温RTP
Mattson Thermal Products GmbH, Dornstadt, Germany;
机译:ln_(0.7)Ga_(0.3)As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程:带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
机译:对“通过低功率电源片上系统应用的源/漏工程抑制绝缘硅上MOSFET的漏极感应势垒降低的修正”
机译:通过低功耗电源片上系统的源极/漏极工程,抑制绝缘体上硅MOSFET中的漏极感应势垒降低
机译:具有低温自对准NiGe / Ge结的1纳米以下EOT肖特基源/漏锗CMOS技术
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:使用蓝色激光二极管退火(BLDA)金属源和沥水的低温多Si TFT(BLDA)