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Stacking chip-scale packages

机译:堆叠芯片级封装

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摘要

The practice of stacking packaged DRAMs to achieve higher-density memories has been around for decades. In fact, DRAM stacking dates back to IBM Corp.'s PC AT model in the mid-1980s when dual in-line packages were combined to achieve 512Kbytes of system memory. The adoption of thin small-outline packages (TSOP) in the early 1990s moved memory stacking into the mainstream, but now the DRAM industry is transitioning to chip-scale packages (CSP). These new packages are lightweight and have better electrical and thermal properties than TSOPs while offering near die-size packaging. Of the many features CSPs have to offer, however, facilitating chip stacking is not one of them.
机译:堆叠封装的DRAM以获得更高密度的存储器的做法已经存在了数十年。实际上,DRAM堆栈的历史可以追溯到1980年代中期IBM公司的PC AT模式,当时将双列直插式封装组合在一起以实现512 KB系统内存。在1990年代初期,采用薄型小外形封装(TSOP)使存储器堆栈成为主流,但是现在DRAM行业正在向芯片级封装(CSP)过渡。这些新封装重量轻,并且比TSOP具有更好的电气和热性能,同时提供接近裸片尺寸的封装。但是,在CSP必须提供的众多功能中,促进芯片堆叠并不是其中之一。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2005年第6期|p.2628|共2页
  • 作者

    Paul Goodwin;

  • 作者单位

    Staktek Holdings Inc., Autin, Texas;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

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