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Molecular Imprints announces 4WPH step and flash imprint tool

机译:Molecular Imprints宣布推出4WPH步进和Flash压印工具

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摘要

Claiming the ability to print 32nm, 28nm, and 22nm features at 4WPH with 35nm overlay, Molecular Imprints, Inc. (MII) says its latest imprint lithography tool for semiconductor applications, the Imprio 300, introduced at the SPIE Advanced Lithography Symposium, is the "only game in town" for semiconductor prototyping and process development in the < 30nm realm. "Our unique technology imprints into liquid at room temperature, facilitating overlay," according to CEO Mark Melliar-Smith, who discussed the technology in an interview with SST. The step-and-flash tools are drop-in replacements for optical, exposure tools, completely compatible wit current processes." He provided slides showing that working FinFET transistors have already been patterned at 20 and 30nm and resist CD uniformity demonstrated at 0.8nm with LER < 2nm.
机译:Molecular Imprints,Inc.(MII)声称能够在4WPH时以35nm覆盖层印刷32nm,28nm和22nm的特征,并表示其最新的用于半导体应用的压印光刻工具Imprio 300是在SPIE Advanced Lithography Symposium上推出的。 <30nm领域的半导体原型设计和工艺开发的“城里唯一的游戏”。首席执行官Mark Melliar-Smith在接受SST采访时讨论了该技术,他说:“我们的独特技术在室温下会渗入液体中,从而有利于覆盖。”步进闪光工具是光学,曝光工具的替代品,是与电流工艺完全兼容的。”他提供的幻灯片显示,工作中的FinFET晶体管已经在20nm和30nm处进行了图案化,并具有0.8nm时展示的CD均匀性。 LER <2nm。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2008年第4期|p.21|共1页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
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