机译:用于22nm垫片自对准双图案的DUV检查和缺陷来源分析
Applied Materials Israel, Rehovot, Israel;
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Applied Materials Inc., Santa Clara, CA USA;
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机译:新系统可在22nm以下进行缺陷检查
机译:低于10nm节点设计的二维随机金属的自对准双图案布局分解
机译:自对准共面顶栅In-Ga-ZnO薄膜晶体管暴露于各种DUV辐射能量
机译:22nm垫片自对准双图案(SADP)关键层的小颗粒缺陷表征
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:钢结构内缺陷的热敏检查:脉冲热成像信号处理技术分析
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术
机译:BF sub 2+ - 嵌入和快速热退火硅结构缺陷的起源:无缺陷再生的条件