机译:FinFET在7nm和5nm CMOS技术节点上的发展
Logic Deuice Program at imec, Leuven, Belgium;
机译:GAAFET与实用FinFET在5nm Si基CMOS技术节点上的比较
机译:用于5nm节点CMOS集成的Ge-cap量子阱体FinFET
机译:7NM技术节点在源/漏应力源中的基于栅极鳍片的应力诱导的变异性研究
机译:纳米级批量FinFET和TiTaN中的可变性来源-适用于7 / 5nm CMOS节点的低变异性WFM
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:基于传统CmOs和FinFET的45nm工艺的6T XOR-XNOR电路分析