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【24h】

FinFET evolution for the 7nm and 5nm CMOS technology nodes

机译:FinFET在7nm和5nm CMOS技术节点上的发展

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摘要

In addition to extending the fin-based design investments, augmenting the FinFET for improved performance allows an evolution of the process infrastructure for a few more nodes. With 14nm CMOS technology node soon to be ready for production and the leaders in the industry busy with 10nm development, our R&D focus shifts to scaling devices for the 7nm and 5nm technology nodes.
机译:除了扩展基于鳍的设计投资之外,通过增强FinFET来提高性能,还可以扩展工艺基础设施,以支持更多节点。随着14nm CMOS技术节点即将投入生产,并且行业领导者忙于10nm开发,我们的研发重点转移到了7nm和5nm技术节点的缩放设备上。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2013年第8期|18-19|共2页
  • 作者

    AARON THEAN;

  • 作者单位

    Logic Deuice Program at imec, Leuven, Belgium;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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