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【24h】

Will monolithic 3D IC technology become a real competitor to 3DIC with TSV?

机译:单片3D IC技术是否将成为TSV真正的3DIC竞争对手?

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摘要

The language of 3DIC is certainly a bit confusing, especially when it comes to TSV-based 3DIC and what can be called monolithic 3DIC. Back end (BE) 3DIC with TSV is a parallel process where each layer or stratum is fabricated with TSV separately and subsequently joined. Monolithic 3DIC is a front end (FE), sequential process where a second layer of silicon is deposited or grown onto the first finished chip and the transistor and interconnect processes are repeated.
机译:3DIC的语言肯定有点令人困惑,特别是在涉及基于TSV的3DIC和所谓的单片3DIC时。带有TSV的后端(BE)3DIC是一个并行过程,其中每个层或层都分别由TSV制成,然后再连接在一起。单片3DIC是前端(FE)的顺序过程,在该过程中,将第二层硅沉积或生长到第一个完成的芯片上,并重复进行晶体管和互连过程。

著录项

  • 来源
    《Solid state technology》 |2014年第1期|9-9|共1页
  • 作者

    Phil Garrou;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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