机译:EUVL:将其降至5nm
SEMI, San Jose, CA 95134 USA;
机译:周期性[Fe(5nm)/ V(5nm)] _(10)和[Fe(3nm)/ V(3nm)] _(20)系统的结构和磁性能(会议论文)
机译:Selete的EULE掩模掩模缺陷减少技术扩展到EUVL掩模的光掩模缺陷检查和修复技术即使掩模尺寸为100 nm,也可以实现高精度的检查图像对比度
机译:栅极长度对模拟电路5nm节点N沟道纳米纸张晶体管性能的影响
机译:5nm技术节点中金属层的EUVL图案变异建模及其对电阻的影响
机译:基于图像的EUVL像差计量
机译:用5nm金球标记的定向线性DNA分子的原子力显微镜检查。
机译:周期Fe(5nm)/ V(5nm) 10和Fe(3nm)/ V(3nm) 20系统的结构和磁性
机译:在镍样镱中获得5nm的测量值。