机译:抑制NMOSFET中超薄栅极氧化物的边缘直接隧穿的聚再氧化工艺步骤
ECE Department, IISc, Bangalore 560012, India;
band-to-band tunneling; direct tunneling; edge direct tunneling; gate induced drain leakage; overlap; polyreoxidation; source drain extension;
机译:具有超薄栅极氧化物的p / sup + /多晶硅栅极pMOSFET中空穴直接隧穿电流的物理模型
机译:使用P / sup + /多晶硅SiGe栅极通过超薄栅极氧化物直接隧穿的证据
机译:使用直接隧穿电流和MOS器件中的电容电压测量对超薄栅极氧化物进行建模研究
机译:处于关闭状态的超薄栅极氧化物P沟道MOSFET中的边缘孔直接隧穿
机译:通过快速热处理制造的用于金属氧化物半导体场效应晶体管应用的直接隧道栅氧化物的研究。
机译:螺旋双金属氢氧化物超薄纳米片用于水氧化的边缘过度生长
机译:通过分析方法将通过n沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的超薄栅极氧化物的直接隧穿电流的不同分量进行集成
机译:机翼侧向控制特性的高亚音速下的翼 - 隧道研究和机翼上的阶梯式扰流板,前缘向后扫过51.3度