机译:任意取向Si_(1-y),Ge_y衬底上应变Si_(1-x)Ge_x层中电子迁移率的蒙特卡洛模拟
Institute for Microelectronics, TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29/E360, A-1040 Vienna, Austria;
机译:在松弛的Si_(1-x)ge_x虚拟衬底上使用通过氧化形成的富含Ge的层在应变Si / si_(1-y)ge_y双通道上进行新制备
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了空穴迁移率和热稳定性
机译:松弛SI_(1-X)GE_X双通道增强运动结构上受约束的SI /约束SI_(1-Y)GE_Y中带隙的提取
机译:激光和探测器的气体源分子束外延,使用的是铟(1-x)镓(x)砷化物(y)磷化物(1-y)应变层。
机译:通过蒙特卡洛模拟训练的人工神经网络对多层皮肤模型的空间分辨漫反射光谱建模
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型