机译:适用于微波应用的应变Si HFET:最新技术和进一步的方法
Institut d'Electronicque Fondamentale, Paris-Sud University, Bat. 220, F-91405 Orsay, France;
strained silicon quantum well; microwave devices; low noise; HFETs; SOI; SiGe; self-heating;
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