机译:松弛和应变Si n沟道MOSFET中界面粗糙度散射和退化的影响
Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, Scotland, UK;
MOSFETs; strained Si; interface roughness scattering; degeneracy;
机译:弛豫和应变Si n-MOSFET中界面粗糙度散射及其对电子传输的影响
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