机译:通过高温N +注入制成的具有图案化子集电极的高性能InP / InGaAs / InP DHBT
HRL Laboratories, LLC 3011 Malibu Canyon Road, Malibu, CA 90265-4799, USA;
HBT; InP; ion implantation; over growth;
机译:单生长,三注入工艺制造的集电极-InGaAs / InP DHBT
机译:200 GHz InP DHBT技术,使用选择性植入的埋藏子集电极(SIBS)用于宽带放大器
机译:在450 GHz以上的
机译:高温下变质InP / InGaAs异质结双极晶体管的RF性能和微波噪声
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:基于250 nm InP / InGaAs / InP DHBT工艺的140-220 GHz成像前端
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。