机译:使用硅烷/二氯硅烷混合物进行选择性外延的50 nm MOSFET的源极/漏极升高
Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Highfield, Southampton SO 17 1BJ, UK;
raised source/drain; selective epitaxy; silicon epitaxy: MOSFETs;
机译:通过仅使用硅烷进行硅的选择性外延生长而实现的具有提高的源极/漏极结构的亚微米MOSFET的电应力
机译:通过选择性Si沉积为50 nm结深度MOSFET可靠地提高源/漏形成工艺
机译:通过仅使用硅烷进行硅的选择性外延生长,可以改善具有升高的源极和漏极结构的nMOSFET中的热电子降解
机译:50nm MOSFET的升高的源极/漏极(RSD)-外延层厚度对短沟道效应的影响
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:50nm MOSFET的升高的源极/漏极(RSD)-外延层厚度对短沟道效应的影响