机译:非均质肖特基二极管有效势垒高度降低的电压依赖性
Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 281/S1, B-9000 Ghent, Belgium;
schottky diode; barrier height inhomogeneity; Ni silicide; Ti capping;
机译:肖特基势垒高度的降低,打开基于Li掺杂ZnO纳米座阵列的肖特基二极管的电压,漏电流和高响应度
机译:势垒高度不均匀对Au / n-InP肖特基二极管的电流-电压特性的影响
机译:非均质肖特基二极管势垒高度参数的温度依赖性
机译:非均质肖特基二极管的有效势垒高度
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:从电流-电压和电容-电压特性确定基于Au-TiB2-n-SiC 6H的二极管的肖特基势垒高度