机译:具有与栅极电压有关的迁移率特性的长沟道薄膜晶体管的闭式DC模型
Hewlett-Packard Company, MIS 323E, 1000 NE Circle Blvd, Corvallis, OR 97330-4239. United States;
thin-film transistor model; gate voltage-dependent mobility;
机译:长通道全栅无结MOSFET的紧凑型显式模型。第一部分:直流特性
机译:亚微米门AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中直流特性的栅极长度依赖性
机译:尖端-并五苯薄膜晶体管的电气特性建模:接触势垒,与场有关的迁移率和陷阱的影响
机译:模拟ALD Al
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:在室温下通过全直流溅射法制备的高迁移率ZrInO薄膜晶体管
机译:对称双栅多晶硅薄膜晶体管的I-V特性建模
机译:均匀和阶梯掺杂Gaas / alGaas HEmT(高电子迁移率晶体管)的直流,低频和微波特性研究。