机译:关于孤立的Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中表面态的重要性
Dpto. Ingenieria Elcctronica y Comunicaciones, Centro Politecnico Superior, Universidad de Zaragoza, C/Maria de Luna 3, 50012 Zaragoza, Spain;
AlGaN/OaN; 2DEG; surface states;
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中Al_xGa_(1-x)N势垒中的表面态
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中Al_xGa_(1-x)N势垒中的表面态
机译:Al_xGa_(1-x)N厚度对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:光致发光 - 激发光谱的高灵敏度,用于探测血浆诱导的表面损伤对载体传输对Al_xGA_(1-X)N / GaN异质结构的影响
机译:用于节能半导体器件的Si / GaN异质结构的GaN和界面工程的表面工程
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:增强的窄al_xGa_ {1-x} N / GaN线中的自旋轨道散射长度