机译:HEMT雪崩击穿现象的物理研究
Institut d'Electronique, de Microelectronique et de Nanntechnnlogie Cite scientifique, Av Poincare, BP 69, 59652 Villeneuve d'Ascq, France;
hydrodynamic modelling; pseudomorphic HEMTs; single and double step gate recess; avalanche breakdown phenomenon;
机译:AlGaAs / InGaAs HEMT中的软击穿现象:低温实验研究
机译:AlGaAs / GaAs功率异质结双极晶体管的崩溃现象与雪崩击穿之间的相互依赖性
机译:第一部分:对AlGaN / GaN HEMT中GaN缓冲液中碳掺杂引起的延迟雪崩作用的物理观察
机译:基于双极结晶体管雪崩击穿现象的脉冲发电机设计,仿真和性能比较
机译:对HBT和HEMT的掺杂分布进行研究,以改善击穿和速度特性。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:单步或双步步态凹陷HEMT击穿现象的物理分析
机译:扫描电子显微镜在电流倍增,雪崩击穿和热失控研究中的应用。第1部分 - 一般物理基础