机译:热氧化n型4H-SiC和6H-SiC的界面陷阱性质
Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03 028 Prospect Nauki 45, Kyiv, Ukraine;
SiC/SiO_2-interface; MOS-structure; interface states; thermally stimulated current;
机译:热氧化和NO退火的SiO_2 / 4H-SiC中界面态的电子俘获和发射特性
机译:NO和Ar退火N型4H-SiC MOS电容器中慢态附近界面空穴陷阱的紫外光比较研究
机译:N型4H-SiC MOS电容器近界面电子和空穴陷阱的NO钝化研究
机译:通过高频和准静态C-V技术测量n型干热氧化6H-SIC MOS二极管中的快速和慢速接口陷阱
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:N2O热处理后SiO2 / 4H-SiC界面的外观
机译:通过高温NO处理修改氧化物/半导体界面:氧化多孔和块状n型4H-siC的EpR,NRa和Xps组合研究