机译:远程等离子体氮化nGaAs / Au肖特基势垒的研究
Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi del C.N.R, Via Orabona, 4 I-70126 Bari, Italy;
GaAs; nitridation; GaN; schottky diode;
机译:Au / n-Si,Au / Biphenyl-CuPc / n-Si /和Au / Biphenylsubs-CoPc / n-Si /型肖特基势垒二极管的主要电参数比较研究
机译:Au / n-Si和Au / PVA:Zn / n-Si肖特基势垒二极管主要电参数的详细比较研究
机译:通过化学预处理在Au / III-V半导体肖特基势垒接触中引入的势垒高度不均匀性的弹道电子发射显微镜研究
机译:XPS研究Au / 6H-SiC肖特基势垒高度与载流子浓度的关系
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:具有Au / Si肖特基势垒的紧凑型表面等离子体共振系统
机译:六方氮化硼/金属界面的肖特基势垒:第一性原理研究