机译:具有浮动金属环边缘终端的高击穿电压4H-SiC肖特基势垒二极管的设计与制造
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, ROC;
silicon carbide; schottky barrier diodes; breakdown voltage; edge termination; floating metal ring;
机译:具有场板和浮动保护环边缘终端结构的Ni / 4H-SiC(0001)肖特基二极管阵列的设计,制造和表征
机译:使用各种边缘终端结构制造高击穿电压硅肖特基势垒二极管
机译:钻石肖特基势垒二极管,具有浮动金属环,用于高击穿电压
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机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
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