机译:温度对短几何形状多晶硅薄膜晶体管电特性的影响
Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi 110 021, India;
poly-crystalline silicon; TFT; analytical modeling; short channel effects; inverse narrow width effect; threshold voltage; drain current; transconductance; cut-off frequency; transit time; fringing capacitance; temperature;
机译:晶界对含有大晶粒的低温多晶硅薄膜晶体管中器件特性的温度依赖性和热载流子效应的影响
机译:10 K至400 K的铟锌氧化物薄膜晶体管电学特性的温度依赖性
机译:非晶态铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的类晶体温度依赖性
机译:具有多个纳米线通道的薄膜晶体管电特性的温度依赖性
机译:氢化非晶硅和低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器制造的技术和成本建模。
机译:用于透明柔性薄膜晶体管应用的掺铝氧化锡薄膜的电结构光学和粘合特性
机译:通过步骤退火分析低温高温聚硅TFT(薄膜晶体管)的电特性