机译:采用结隔离技术的新型LIGBT结构可抑制衬底电流
University of Gent, ELIS-TFCG/IMEC, Technologiepark 914, B-9052 Gent, Belgium;
LIGBT; isolation; latch-up; substrate current; junction isolated technology;
机译:结隔离横向IGBT中的瞬态衬底电流
机译:控制结隔离IC中的基板电流
机译:后氧化冷却速率对LOCOS隔震结构中残余应力和pn结泄漏电流的影响
机译:采用0.5um结隔离技术抑制衬底电流的700V LIGBT设计
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:在结构化基底上直接制备碳纳米管分子内结
机译:GaAs MESFET电流中的低频噪声与衬底电导率和沟道-衬底结点有关
机译:衬底和浓度对CuInse2pV器件器件性能,结形成和薄膜微结构的影响