机译:直接展示AlGaN / GaN HFET中电流崩溃的``虚拟栅极''机制
Department of Electrical Engineering and Electronics, UMIST, P. O. Box 88, Manchester, M60 1QD, United Kingdom;
AlGaN; GaN; current collapse; virtual gate; field effect transistors; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; wide bandgap semiconductors; surface trapping;
机译:虚拟栅极概念的AlGaN / GaN HFET中电流崩塌的解析模型
机译:利用栅极偏置应力研究AlGaN / GaN HFET的电流崩塌
机译:栅极-源极访问区应力对AlGaN / GaN HFET中电流崩溃的影响
机译:多层碳掺杂/未掺杂GaN缓冲液对AlGaN / GaN HFET的电流塌陷的影响
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的AlGaN / GaN HFET漏极电流特性的分析模型
机译:中子辐照对alGaN / GaN HFET影响的原位栅极偏置相关研究