机译:电子过量状态下SONOS非易失性存储设备的解析保留模型
Sherman Fairchild Center, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA;
SONOS; retention; NVSM; trap distribution; silicon oxynitride; charge loss;
机译:纳米电子SONOS非易失性半导体存储器(NVSM)设备和技术的进步
机译:SONOS氮氧化物非易失性半导体存储器件的特性
机译:SONOS非易失性存储设备中ONO三重介电层的电气特性
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机译:纳米级SONOS / MANOS非易失性半导体存储器(NVSM)器件的表征和建模
机译:用原位掺杂多晶硅纳米线构建的无结SONOS非易失性存储设备
机译:有机记忆装置:9,10-酰亚胺 - 芘 - 融合吡唑(IPPA)作为N型掺杂材料,用于高性能非易失性有机场效应晶体管内存装置(ADV。电子。Matter。2/2019)
机译:用氮化siO(2)/ si(100)界面制备的sONOs非易失性存储器堆栈的循环耐久性;电子器件字母