机译:薄膜SOI功率MOSFET击穿电压的新型分析模型
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China;
SOI; RESURF; breakdown voltage; analytical model;
机译:通过掩埋氧化物阶梯结构提高薄膜SOI功率MOSFET的击穿电压
机译:具有背栅控制的纳米超薄体和埋入氧化物SOI MOSFET的阈值电压和界面理想因子的解析模型
机译:离子注入绝缘体上应变硅(SSOI)MOSFET阈值电压的解析模型
机译:薄膜SOI MOSFET上硅基衬底电位下降的分析模型及其对阈值电压的影响
机译:中子辐照对功率MOSFET击穿电压的影响
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:具有降低击穿电压的肖特基隧道源冲击电离mOsFET的分析建模
机译:电离辐射对功率mOsFET击穿电压的影响