机译:统一电流方程式用于亚微米MOSFET的预测建模
Electronics and Information Technology, University of Applied Sciences Giessen-Friedberg, Wiesenstrasse 14, D-35390 Giessen, Germany;
MOSFET; submicron; predictive modeling; compact modeling; subthreshold slope; mobility model;
机译:用于深亚微米n沟道和p沟道MOSFET的漏极电流热噪声建模
机译:适用于深亚微米MOSFET的分析漏极热噪声电流模型
机译:亚微米MOSFET的新衬底电流模型
机译:深度亚微米MOSFET的统一长度/宽度依赖性漏极电流模型
机译:由于亚微米MOSFET器件的热载流子效应而导致的衬底电流模型。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:具有高K介质的深亚微米mOsFET中直接隧穿栅极电流和栅极电容的建模。
机译:统一最优投影方程同时降阶,鲁棒建模,估计和控制