机译:高缺陷浓度,高辐射,高电阻率和半绝缘材料制成的半导体二极管的建模:电容-电压特性
Laboratory of Metallic and Semiconducting Materials, B.P. 145, University of Biskra, Biskra 07000, Algeria;
semi-insulating; semiconductor; diode; radiation damage; modelling;
机译:高缺陷浓度,辐射,高电阻率和半绝缘材料制成的半导体二极管的建模:电流-电压特性
机译:高缺陷浓度,辐射,高电阻率和半绝缘材料制成的半导体二极管的建模:内部场
机译:基于p-n结二极管特性的半导体材料中的缺陷分析
机译:自然点缺陷对中子辐照半绝缘GaAs上二极管性能的影响
机译:半绝缘材料和异质结中缺陷的表征。
机译:a-IGZO / TiO2存储器的丝状电阻切换和电容电压特性
机译:基于电介质中球形半导体颗粒模型的异构结构的高频电容 - 电压特性
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