机译:高功率高击穿δ掺杂In_(0.35)Al_(0.65)As / In_(0.35)Ga_(0.65)As变质HEMT
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng-Kung University, 1 University Road, Tainan 70101, Taiwan, ROC;
metamorphic; breakdown; In_(0.35)Al_(0.65)As/In_(0.35)Ga_(0.65)As MHEMT;
机译:改进的In_(0.45)Al_(0.55)As / In_(0.45)Ga_(0.55)As / In_(0.65)Ga_(0.35)As逆复合沟道变质高电子迁移率晶体管
机译:采用Au / Pt / Ti非退火欧姆技术制造的60nm厚增强模式In_(0.65)Ga_(0.35)As / InAs / In_(0.65)Ga_(0.35)As高电子迁移率晶体管电源逻辑应用
机译:在50纳米假晶格In_(0.65)Ga_(0.35)As-In_(0.40)Al_(0.60)As-InP HEMT MMIC技术中集成组件
机译:GaAs衬底上变质In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.65)Ga_(0.35)As HEMT的电学性质
机译:关于(Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3)0.65-(PbTiO3)0.35(PMN-PT)压电板传感器(PEPS)的结合应力增强的灵敏度。
机译:在阱层中具有不同Si掺杂水平的Al0.5Ga0.5N / Al0.35Ga0.65N MQW中自由和束缚的激子效应
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:改进的应变HEmT(高电子迁移率晶体管)特性使用双(0.65)Ga(0.35)as / In(0.52)al(0.48)设计的双异质结。