机译:直接隧穿电流表征超薄N_2O氧化物中的电荷俘获
Department of Electronic Engineering, City University, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong;
ultrathin oxide; charge trapping; direct tunneling;
机译:具有界面陷阱电荷和固定氧化物电荷的超薄MOS结构中的隧道电流建模
机译:具有超薄栅极氧化物的p / sup + /多晶硅栅极pMOSFET中空穴直接隧穿电流的物理模型
机译:使用直接隧穿电流和MOS器件中的电容电压测量对超薄栅极氧化物进行建模研究
机译:2.3-3.8 nm氧化物直接隧穿电流中的内在和应力诱导陷阱以及亚3 nm氧化物的统一表征方法
机译:金属氧化物半导体电容器中电子束感应电流的俘获电荷界面调制。
机译:通过沉积在Mo(110)衬底上生长的金纳米粒子上的金纳米粒子上的一氧化碳氧化:电荷隧穿通过氧化膜的效果
机译:通过分析方法将通过n沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的超薄栅极氧化物的直接隧穿电流的不同分量进行集成
机译:通过热刺激电流(TsC)测量和分析对辐射诱导的氧化物捕集电荷的新见解。