机译:根据块状,量子阱和量子阱混合的InGaAsP结构的带边吸收光谱预测的电吸收调制器性能
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photocurrent spectroscopy; electroabsorption; modulator; quantum confined stark effect; franz-keldysh effect; chirp; exciton; bandwidth; quantum well; bulk material; tunable;
机译:低插入损耗和低色散损失InGaAsP量子阱高速电吸收调制器,适用于40 Gb / s超短距离,长距离和长距离应用
机译:带宽超过20 GHz的高速块状InGaAsP-InP电吸收调制器
机译:电吸收调制器InGaAs-InAlAs量子阱结构的优化
机译:使用应变式InGaAsP / InGaAsP / InAsP MQW结构具有记录功率饱和的极化不敏感电吸收调制器
机译:集成基于HBT的载流子注入电吸收调制器结构的千兆硅光子发射器。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:强饱和量子阱电吸收调制器中的吸收恢复