机译:在经过生产验证的130 nm嵌入式Flash技术中将A1_2O_3用作多晶硅间电介质
Infineon Technologies AG, 81726 Munich, Germany;
floating gate flash; inter-poly dielectric; high-κ dielectric; aluminum oxide;
机译:用于NAND闪存应用的ONO多晶硅间电介质的场相关电荷陷阱分析
机译:快速热氧化法制备具有改进的层间介电层的NOR型三栅极闪存
机译:掺钇的$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $作为闪存应用的中间介电材料的性能得到改善
机译:ALD-Al2O3作为成熟的eFlash技术中产品演示器的中间介电体
机译:基于逻辑兼容嵌入式闪存技术的非挥发性神经形态计算
机译:高k电介质的非易失性存储器述评:闪存可产生超过32 nm的光
机译:改进了钇掺杂的al 2 O 3作为闪存应用的多晶硅间电介质的性能
机译:优化政府机构,工业设施和军事设施的可再生能源技术部署:NREL提供经过验证的工具和资源,以减少能源使用并提高效率